看來3D NAND快閃記憶體市場卡位戰要正式開打囉!日前三星與東芝相繼宣布將量產3D NAND快閃記憶體,雙方戰火一觸即發。
三星日前宣布開始量產3D垂直(Vertical)NAND快閃記憶體--V-NAND,而東芝亦不落人後,宣布將於2014年初開始量產3D NAND快閃記憶體--BiCS,可望突破平面NAND快閃記憶體在10奈米(nm)以下製程節點的儲存格微縮瓶頸。
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